在過去的幾年中，我們付出了巨大的努力，通過增加再分布層（RDL）的數量、縮小金屬線的寬度和間距（L/S）以及減小焊盤尺寸和間距來提高高密度后端處理的能力。?在未?來幾年中，我們還將看到異質集成（HI）水平的提高。異質集成采用封裝技術，將來自不??同芯片廠、代工廠、晶圓尺寸和特征尺寸的不同功能芯片集成到一個系統和子系統中。?隨?著異構集成的發展，多層?RDL 被用來連接有機、玻璃、硅或扇出基板上的這些不同芯片。
鑒于這種復雜性的增加和層處理量的增加，聚合物或光敏可成像電介質（PID）固化的重要?性不言而喻，它不僅能降低固化溫度和縮短固化時間，還能帶來更好的薄膜性能。?雖然有?許多不同的聚合物固化工藝，但特定工藝的選擇會對固化聚合物的質量和性能產生重大影?響，適用于?FOWLPM?多層金屬化工藝。
本文使用?YES VertaCure?系統研究了不同類型聚酰亞胺和?PBO 材料的機械、熱、物理和?介電特性與時間和溫度等不同工藝參數以及亞大氣壓工藝條件的函數關系。
在大氣和真空固化條件下，完成了?HD4100 和?HD8820?的固化研究。?盡管與大氣固化相?比，真空固化過程的固化時間縮短了?40%，但在傅立葉變換紅外分析中，兩種固化膜的光??譜似乎完全相同，在傅立葉變換紅外的檢測限內檢測不到化學成分和/或固化程度的差異。
對真空和大氣固化條件下金屬化過程中的放氣量進行比較?(圖1)?,?證?明了真空固化是一種?更完整的固化過程。與圖1(b)所示的大氣固化相比，在 HD4100 固化過程中施加真空時，殘?留氣體的水平幾乎降至圖1(a)所示的背景水平。
通過測量 HD8820和?HD4100 的拉伸強度?、伸長率?、玻璃化轉變溫度?(Tg) ?、熱膨脹系?數 ?(CTE) ?、1%和 5%失重溫度?，還得?出了機械性能和熱性能的比較結果?，如表 1所示?。雖?然在常壓和真空固化條件下處理的兩種薄膜的伸長率相似?，但與常壓固化相比?，真空固化??的 HD8820 和 HD4100 薄膜?的拉伸強度要高出 10%。此外?，真空固化薄膜?的熱性能也一直較?好?。除了玻璃轉化溫度?(Tg)?更高之外，真空固化薄膜的1%和 5%失重溫度也比常壓固化??薄膜高出 4-6%-這表明薄膜的性能更好?。
我們還進行?了電容-電壓測量?，?以使用汞探針分析這些薄膜的介電性能。雖然介電常數?相同?，但真空?固化薄膜?的耗散因子比常壓薄膜低10%?,?這是因為在真空下固化更徹底。
總之，真空固化工藝的重要性顯而易見，它為當前的 FOWLP提供?了更好的介電性能，?而且與多層次金屬化相比?，幾乎沒有放氣現象。
